BSP89H6327XTSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
BSP89H6327XTSA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 4SOT223
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
SIPMOS®
Pengantar
Spesifikasi BSP89H6327XTSA1
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | Saluran-N |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 240V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Vg (Maks) | ±20V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 1,8W (Ta) |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket Perangkat Pemasok | PG-SOT223-4 |
| Paket / Kasus | KE-261-4, KE-261AA |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan BSP89H6327XTSA1
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable