Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > BSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

BSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
BSC079N03LSCGATMA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
OptiMOS™
Pengantar

Spesifikasi BSC079N03LSCGATMA1

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 19nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1600pF @ 15V
Vg (Maks) ±20V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 2,5W (Ta), 30W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 7,9 mOhm @ 30A, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok PG-TDSON-8
Paket / Kasus 8-PowerTDFN
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan BSC079N03LSCGATMA1

Deteksi

BSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalBSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalBSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalBSC079N03LSCGATMA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable