Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > IXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

IXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IXFH34N65X2
Pabrikan:
IXYS
Keterangan:
MOSFET N-CH 650V 34A KE-247
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
HiPerFET™
Pengantar

Spesifikasi IXFH34N65X2

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 56nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 3330pF @ 25V
Vg (Maks) ±30V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 540W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 17A, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok KE-247
Paket / Kasus KE-247-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IXFH34N65X2

Deteksi

IXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIXFH34N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable