Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > IPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

IPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IPW65R099C6FKSA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 650V 38A KE-247
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
CoolMOS™
Pengantar

Spesifikasi IPW65R099C6FKSA1

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 127nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 2780pF @ 100V
Vg (Maks) ±20V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 278W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok PG-TO247-3
Paket / Kasus KE-247-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IPW65R099C6FKSA1

Deteksi

IPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPW65R099C6FKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable