Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF

I 'm Online Chat Now

MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF

MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF
MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF

Gambar besar :  MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF

Deskripsi
Nomor Bagian: MRF6S20010GNR1 Pabrikan: NXP USA Inc.
Keterangan: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW kategori: Transistor - FET, MOSFET - RF
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - RF

Spesifikasi MRF6S20010GNR1

Bagian Status Aktif
Tipe Transistor LDMO
Frekuensi 2,17 GHz
Memperoleh 15,5dB
Tegangan - Tes 28V
Peringkat Saat Ini -
Angka Kebisingan -
Saat ini - Tes 130mA
Daya - Keluaran 10W
Tegangan - Nilai 68V
Paket / Kasus TO-270-2 Gull Wing
Paket Perangkat Pemasok KE-270-2 GULL
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan MRF6S20010GNR1

Deteksi

MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF 0MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF 1MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF 2MRF6S20010GNR1 Efek Medan Transistor Transistor FET MOSFET Chip RF 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)