Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

I 'm Online Chat Now

STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Gambar besar :  STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Deskripsi
Nomor bagian: STY80NM60N Pabrikan: STMicroelectronics
Keterangan: MOSFET NCH 600V 74A MAX247 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Tunggal Seri: MDmesh™ II

Spesifikasi STY80NM60N

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 600V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 74A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 360nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 10100pF @ 50V
Vg (Maks) ±25V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 447W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 37A, 10V
Suhu Operasional 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok MAX247™
Paket / Kasus KE-247-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan STY80NM60N

Deteksi

STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal 0STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal 1STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal 2STY80NM60N Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)