Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDC3601N Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: PowerTrench®

Spesifikasi FDC3601N

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 100V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 1A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 5nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 153pF @ 50V
Daya - Maks 700mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok SuperSOT™-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDC3601N

Deteksi

FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDC3601N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)