Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTGD4167CT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTGD4167CT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.6A, 1.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 295pF @ 15V
Daya - Maks 900mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok 6-TSOP
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTGD4167CT1G

Deteksi

NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2NTGD4167CT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)