Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTHD4102PT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTHD4102PT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 750pF @ 16V
Daya - Maks 1.1W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SMD, Timbal Datar
Paket Perangkat Pemasok ChipFET™
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTHD4102PT1G

Deteksi

NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2NTHD4102PT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)