Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

I 'm Online Chat Now

NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET
NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Gambar besar :  NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Deskripsi
Nomor Bagian: NTJD5121NT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 60V 0,295A SOT363 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTJD5121NT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 295mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 1,6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 26pF @ 20V
Daya - Maks 250mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-88/SC70-6/SOT-363
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTJD5121NT1G

Deteksi

NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 0NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 1NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 2NTJD5121NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)