Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor bagian: PMDXB600UNE Pabrikan: Nexperia USA Inc.
Keterangan: MOSFET 2N-CH 20V 0,6A 6DFN kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: TrenchFET®

Spesifikasi PMDXB600UNE

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 600mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 21,3pF @ 10V
Daya - Maks 265mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus Pad Terkena 6-XFDFN
Paket Perangkat Pemasok 6-DFN (1,1x1)
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan PMDXB600UNE

Deteksi

PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2PMDXB600UNE Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)