Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTJD4152PT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2P-CH 20V 0,88A SOT-363 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTJD4152PT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 880mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 155pF @ 20V
Daya - Maks 272mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-88/SC70-6/SOT-363
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTJD4152PT1G

Deteksi

NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2NTJD4152PT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)