Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

I 'm Online Chat Now

NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET
NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Gambar besar :  NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET

Deskripsi
Nomor Bagian: NTJD4401NT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 20V 0,63A SOT-363 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTJD4401NT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 630mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 46pF @ 20V
Daya - Maks 270mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-88/SC70-6/SOT-363
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTJD4401NT1G

Deteksi

NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 0NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 1NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 2NTJD4401NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET Array MOSFET 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)