Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: SI5515DC-T1-E3 Pabrikan: Vishay Siliconix
Keterangan: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: TrenchFET®

Spesifikasi SI5515DC-T1-E3

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 4.4A, 3A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds -
Daya - Maks 1.1W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SMD, Timbal Datar
Paket Perangkat Pemasok 1206-8 ChipFET™
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SI5515DC-T1-E3

Deteksi

SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2SI5515DC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)