Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: SI4564DY-T1-GE3 Pabrikan: Vishay Siliconix
Keterangan: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: TrenchFET®

Spesifikasi SI4564DY-T1-GE3

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 40V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 10A, 9,2A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 17,5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 31nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 855pF @ 20V
Daya - Maks 3,1W, 3,2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SI4564DY-T1-GE3

Deteksi

SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2SI4564DY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)