Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF7106 Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC Kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF7106

Bagian Status Usang
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Standar
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 3A, 2,5A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 25nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 300pF @ 15V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF7106

Deteksi

IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF7106 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)