Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF8313TRPBF Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF8313TRPBF

Bagian Status Bukan Untuk Desain Baru
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 9.7A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 15,5 mOhm @ 9,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 760pF @ 15V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF8313TRPBF

Deteksi

IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF8313TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)