Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDS8958B Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: PowerTrench®

Spesifikasi FDS8958B

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 6,4A, 4,5A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 12nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 540pF @ 15V
Daya - Maks 900mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDS8958B

Deteksi

FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDS8958B Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)