Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array

NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array
NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTHC5513T1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET N/P-CH 20V 1206A kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTHC5513T1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.9A, 2.2A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 180pF @ 10V
Daya - Maks 1.1W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SMD, Timbal Datar
Paket Perangkat Pemasok ChipFET™
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTHC5513T1G

Deteksi

NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array 0NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array 1NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array 2NTHC5513T1G Field Effect Transistor Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)