Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDG6321C Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi FDG6321C

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 25V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 500mA, 410mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 50pF @ 10V
Daya - Maks 300mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-70-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDG6321C

Deteksi

FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDG6321C Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)