Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDG6335N Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 20V 0,7A SOT-363 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: PowerTrench®

Spesifikasi FDG6335N

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 700mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 113pF @ 10V
Daya - Maks 300mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-70-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDG6335N

Deteksi

FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDG6335N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)