Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDG6316P Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2P-CH 12V 0,7A SC70-6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: PowerTrench®

Spesifikasi FDG6316P

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 12V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 700mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 146pF @ 6V
Daya - Maks 300mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok SC-70-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDG6316P

Deteksi

FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDG6316P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)