Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: AUIRF7379Q Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi AUIRF7379Q

Bagian Status Usang
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 5.8A, 4.3A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 25nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 520pF @ 25V
Daya - Maks 2,5W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan AUIRF7379Q

Deteksi

AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2AUIRF7379Q Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)