Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF5810TR Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF5810TR

Bagian Status Usang
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 650pF @ 16V
Daya - Maks 960mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok 6-TSOP
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF5810TR

Deteksi

IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF5810TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)