Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: BSO615N Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: SIPMOS®

Spesifikasi BSO615N

Bagian Status Usang
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.6A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 20nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 380pF @ 25V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok PG-DSO-8
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan BSO615N

Deteksi

BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2BSO615N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)