Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: BSO612CV Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: SIPMOS®

Spesifikasi BSO612CV

Bagian Status Usang
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Standar
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 3A, 2A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 340pF @ 25V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok P-DSO-8
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan BSO612CV

Deteksi

BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2BSO612CV Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)