2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Spesifikasi
Nomor Bagian:
2N7002ET1G
Pabrikan:
PADA Semikonduktor
Keterangan:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Pengantar
Spesifikasi 2N7002ET1G
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | Saluran-N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 60V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 0,81nC @ 5V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 26,7pF @ 25V |
Vg (Maks) | ±20V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 300mW (Tj) |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 2,5 Ohm @ 240mA, 10V |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket Perangkat Pemasok | SOT-23-3 (KE-236) |
Paket / Kasus | KE-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan 2N7002ET1G
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable