Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > 2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
2N7002ET1G
Pabrikan:
PADA Semikonduktor
Keterangan:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Pengantar

Spesifikasi 2N7002ET1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 260mA (Ta)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 0,81nC @ 5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 26,7pF @ 25V
Vg (Maks) ±20V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 300mW (Tj)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 2,5 Ohm @ 240mA, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok SOT-23-3 (KE-236)
Paket / Kasus KE-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan 2N7002ET1G

Deteksi

2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal2N7002ET1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable