IPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IPI65R099C6XKSA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 650V 38A KE-262
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
CoolMOS™
Pengantar
Spesifikasi IPI65R099C6XKSA1
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | Saluran-N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 650V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 127nC @ 10V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 2780pF @ 100V |
Vg (Maks) | ±20V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 278W (Tc) |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 12.8A, 10V |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | PG-TO262-3-1 |
Paket / Kasus | TO-262-3 Prospek Panjang, I²Pak, TO-262AA |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan IPI65R099C6XKSA1
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable