Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > TPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

TPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
TPH3206LDGB
Pabrikan:
Transformasi
Keterangan:
CASCODE GAN FET 600V 17A PQFN88
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Pengantar

Spesifikasi TPH3206LDGB

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi GaNFET (Gallium Nitrida)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 600V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 760pF @ 480V
Vg (Maks) ±18V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 96W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Suhu Operasional -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok PQFN (8x8)
Paket / Kasus 3-PowerDFN
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan TPH3206LDGB

Deteksi

TPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalTPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalTPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalTPH3206LDGB Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable