IXFH80N65X2 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IXFH80N65X2
Pabrikan:
IXYS
Keterangan:
MOSFET N-CH 650V 80A KE-247
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
HiPerFET™
Pengantar
Spesifikasi IXFH80N65X2
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | Saluran-N |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 650V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 8245pF @ 25V |
| Vg (Maks) | ±30V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 890W (Tc) |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 40A, 10V |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | KE-247 |
| Paket / Kasus | KE-247-3 |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan IXFH80N65X2
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable