Transistor Modul Daya IGBT NGTB03N60R2DT4G IGBT Tunggal
Spesifikasi
Nomor Bagian:
NGTB03N60R2DT4G
Pabrikan:
PADA Semikonduktor
Keterangan:
IGBT 9A 600V DPAK
kategori:
Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga:
Transistor - IGBT - Tunggal
Pengantar
Spesifikasi NGTB03N60R2DT4G
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe IGBT | - |
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) | 600V |
Arus - Kolektor (Ic) (Maks) | 9A |
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) | 12A |
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
Daya - Maks | 49W |
Beralih Energi | 50μJ (aktif), 27μJ (mati) |
Tipe masukan | Standar |
Biaya Gerbang | 17nC |
Td (hidup/mati) @ 25°C | 27ns/59ns |
Tes kondisi | 300V, 3A, 30 Ohm, 15V |
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) | 65ns |
Suhu Operasional | 175°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket / Kasus | TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63 |
Paket Perangkat Pemasok | DPAK |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan NGTB03N60R2DT4G
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable