Mengirim pesan
Rumah > Produk > Modul Daya IGBT > Transistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT Tunggal

Transistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT Tunggal

Kategori:
Modul Daya IGBT
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
HGTD1N120BNS9A
Pabrikan:
Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
kategori:
Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga:
Transistor - IGBT - Tunggal
Pengantar

Spesifikasi HGTD1N120BNS9A

Bagian Status Aktif
Tipe IGBT NPT
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) 1200V
Arus - Kolektor (Ic) (Maks) 5.3A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) 6A
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Daya - Maks 60W
Beralih Energi 70μJ (aktif), 90μJ (mati)
Tipe masukan Standar
Biaya Gerbang 14nC
Td (hidup/mati) @ 25°C 15ns/67ns
Tes kondisi 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) -
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok TO-252AA
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan HGTD1N120BNS9A

Deteksi

Transistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT TunggalTransistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT TunggalTransistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT TunggalTransistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable