Transistor Modul Daya IGBT HGTD1N120BNS9A IGBT Tunggal
Spesifikasi
Nomor Bagian:
HGTD1N120BNS9A
Pabrikan:
Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
kategori:
Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga:
Transistor - IGBT - Tunggal
Pengantar
Spesifikasi HGTD1N120BNS9A
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe IGBT | NPT |
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) | 1200V |
Arus - Kolektor (Ic) (Maks) | 5.3A |
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) | 6A |
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
Daya - Maks | 60W |
Beralih Energi | 70μJ (aktif), 90μJ (mati) |
Tipe masukan | Standar |
Biaya Gerbang | 14nC |
Td (hidup/mati) @ 25°C | 15ns/67ns |
Tes kondisi | 960V, 1A, 82 Ohm, 15V |
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) | - |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket / Kasus | TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63 |
Paket Perangkat Pemasok | TO-252AA |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan HGTD1N120BNS9A
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable