Transistor Modul Daya IGBT APT25GP120BDQ1G IGBT Tunggal
Kategori:
Modul Daya IGBT
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
APT25GP120BDQ1G
Pabrikan:
Perusahaan Mikrosemi
Keterangan:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
kategori:
Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga:
Transistor - IGBT - Tunggal
Seri:
DAYA MOS 7®
Pengantar
Spesifikasi APT25GP120BDQ1G
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe IGBT | PT |
| Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) | 1200V |
| Arus - Kolektor (Ic) (Maks) | 69A |
| Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) | 90A |
| Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Daya - Maks | 417W |
| Beralih Energi | 500μJ (aktif), 440μJ (mati) |
| Tipe masukan | Standar |
| Biaya Gerbang | 110nC |
| Td (hidup/mati) @ 25°C | 12ns/70ns |
| Tes kondisi | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) | - |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket / Kasus | KE-247-3 |
| Paket Perangkat Pemasok | KE-247 [B] |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan APT25GP120BDQ1G
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable