NTMD6P02R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
NTMD6P02R2G
Pabrikan:
PADA Semikonduktor
Keterangan:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Pengantar
Spesifikasi NTMD6P02R2G
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | 2 P-Saluran (Ganda) |
| Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 20V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Daya - Maks | 750mW |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket / Kasus | 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm) |
| Paket Perangkat Pemasok | 8-SOIC |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan NTMD6P02R2G
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable