Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > IRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IRF7341TRPBF
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
HEXFET®
Pengantar

Spesifikasi IRF7341TRPBF

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 55V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 4.7A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 36nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 740pF @ 25V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF7341TRPBF

Deteksi

IRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET ArrayIRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET ArrayIRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET ArrayIRF7341TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable